图片仅供参考,请参阅产品说明书

SIHD7N60E-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SIHD7N60E-GE3
描述: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Bulk
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
功耗(Max) 78W (Tc)
供应商设备包 D-Pak
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 40nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 7A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 1355 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.91 $1.87 $1.83
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

NTB6410ANT4G
ON Semiconductor
$0
SIHD9N60E-GE3
Vishay / Siliconix
$1.86
FDB150N10
ON Semiconductor
$0
STB32NM50N
STMicroelectronics
$0
STP30N10F7
STMicroelectronics
$1.72