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SIRA10BDP-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SIRA10BDP-T1-GE3
描述:	MOSFET N-CHAN 30V
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vg (Max)	+20V, -16V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.6mOhm @ 10A, 10V
功耗(Max)	5W (Ta), 43W (Tc)
供应商设备包	PowerPAK® SO-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	36.2nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	30A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V