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SIS606BDN-T1-GE3
| 制造商: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | SIS606BDN-T1-GE3 |
| 描述: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Cut Tape (CT) |
| vg (Max) | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 10A, 10V |
| 功耗(Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| 供应商设备包 | PowerPAK® 1212-8 |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 30nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 50V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 7.5V, 10V |
现货库存 6000 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.46 | $1.43 | $1.40 |
最低数量: 1
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