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SISC06DN-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SISC06DN-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 30V
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) +20V, -16V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 2.7mOhm @ 15A, 10V
功耗(Max) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
供应商设备包 PowerPAK® 1212-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 58nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2455pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 27.6A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 5990 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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