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SISF20DN-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SISF20DN-T1-GE3
描述:	MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Active
权力——马克思	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
安装方式	Surface Mount
包/箱	PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	13mOhm @ 7A, 10V
供应商设备包	PowerPAK® 1212-8SCD
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	33nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	14A (Ta), 52A (Tc)