Image is for reference only , details as Specifications

SISS02DN-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SISS02DN-T1-GE3
描述:	MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vg (Max)	+16V, -12V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.2mOhm @ 15A, 10V
功耗(Max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
供应商设备包	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	83nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	4450pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	51A (Ta), 80A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V