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SIZ200DT-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SIZ200DT-T1-GE3
描述:	MOSFET N-CH DUAL 30V
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Active
权力——马克思	4.3W (Ta), 33W (Tc)
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
供应商设备包	8-PowerPair® (3.3x3.3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)