图片仅供参考,请参阅产品说明书

SIZ900DT-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: SIZ900DT-T1-GE3
描述: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 Logic Level Gate
部分状态 Obsolete
权力——马克思 48W, 100W
安装方式 Surface Mount
包/箱 6-PowerPair™
基础零件号 SIZ900
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
供应商设备包 6-PowerPair™
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 45nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 24A, 28A

现货库存 99 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

NVMFD5853NT1G
ON Semiconductor
$0
STS8C5H30L
STMicroelectronics
$0
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4539ADY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
NVMFD5853NLT1G
ON Semiconductor
$0