Image is for reference only , details as Specifications

SIZ916DT-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SIZ916DT-T1-GE3
描述:	MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Half Bridge)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Obsolete
权力——马克思	22.7W, 100W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerWDFN
基础零件号	SIZ916
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	6.4mOhm @ 19A, 10V
供应商设备包	8-PowerPair® (6x5)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	26nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1208pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	16A, 40A