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SIZF906DT-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SIZF906DT-T1-GE3
描述:	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Active
权力——马克思	38W (Tc), 83W (Tc)
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
供应商设备包	8-PowerPair® (6x5)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	60A (Tc)