SIZF916DT-T1-GE3
制造商: | Vishay / Siliconix |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | SIZF916DT-T1-GE3 |
描述: | MOSFET N-CH DUAL 30V |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Digi-Reel® |
场效应晶体管的特性 | Standard |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V |
供应商设备包 | 8-PowerPair® (6x5) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 23A (Ta), 40A (Tc) |
现货库存 5750 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1