Image is for reference only , details as Specifications

SQJ840EP-T1_GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SQJ840EP-T1_GE3
描述:	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	9.3mOhm @ 10.3A, 10V
功耗(Max)	46W (Tc)
供应商设备包	PowerPAK® SO-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	38nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	30A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V