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SUP60030E-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SUP60030E-GE3
描述: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Bulk
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
功耗(Max) 375W (Tc)
供应商设备包 TO-220AB
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 141nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 7910pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 120A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 7.5V, 10V

现货库存 490 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.92 $2.86 $2.80
最低数量: 1

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