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PHE13009/DG,127

制造商: WeEn Semiconductors
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书: PHE13009/DG,127
描述: TRANS NPN 400V 12A TO220AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 WeEn Semiconductors
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列 -
包装 Tube
部分状态 Active
权力——马克思 80W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3
晶体管类型 NPN
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 -
供应商设备包 TO-220AB
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 2V @ 1.6A, 8A
电流-集电极(Ic) (Max) 12A
电流-集电极截止(最大) 100µA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5A, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 400V

现货库存 1 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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