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DS1230Y-200IND+

制造商: Lanka Micro
产品类别: Memory
说明书: DS1230Y-200IND+
描述: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Maxim Integrated
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tube
技术 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
访问时间 200ns
内存大小 256Kb (32K x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Active
内存格式 NVSRAM
安装方式 Through Hole
包/箱 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
基础零件号 DS1230Y
内存接口 Parallel
电压-供应 4.5V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 28-EDIP
写周期时间-字,页 200ns

现货库存 17 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$24.32 $23.83 $23.36
最低数量: 1

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