Image is for reference only , details as Specifications

DDTD133HC-7-F

制造商: Diodes Incorporated
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书: DDTD133HC-7-F
描述: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Diodes Incorporated
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 200mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻-基极(R1) 3.3 kOhms
频率-过渡 200MHz
供应商设备包 SOT-23-3
电阻-发射极基(R2) 10 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
电流-集电极(Ic) (Max) 500mA
电流-集电极截止(最大) 500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 24794 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

DTD114ECT116
ROHM Semiconductor
$0
DTD123ECT116
ROHM Semiconductor
$0
DTB123YCT116
ROHM Semiconductor
$0
MT3S111TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0