EPC2105
制造商: | EPC |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | EPC2105 |
描述: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | EPC |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | eGaN® |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
包装 | Digi-Reel® |
场效应晶体管的特性 | GaNFET (Gallium Nitride) |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | - |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
供应商设备包 | Die |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
现货库存 9969 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1