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EPC2105

制造商: EPC
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: EPC2105
描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 EPC
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 eGaN®
场效应晶体管类型 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 GaNFET (Gallium Nitride)
部分状态 Active
权力——马克思 -
安装方式 Surface Mount
包/箱 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
供应商设备包 Die
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 9.5A, 38A

现货库存 9969 pcs

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