图片仅供参考，请参阅产品说明书

BSO615NGHUMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	BSO615NGHUMA1
描述:	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	SIPMOS®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	2W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基础零件号	BSO615
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
供应商设备包	PG-DSO-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	20nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	2.6A