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FF6MR12W2M1B11BOMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	FF6MR12W2M1B11BOMA1
描述:	MOSFET MODULE 1200V 200A
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	CoolSiC™+
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管的特性	Silicon Carbide (SiC)
部分状态	Active
权力——马克思	20mW (Tc)
安装方式	Chassis Mount
包/箱	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	5.55V @ 10mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	5.63mOhm @ 200A, 15V
供应商设备包	AG-EASY2BM-2
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	496nC @ 15V
漏源极电压(Vdss)	1200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	14700pF @ 800V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	200A (Tj)