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IGB01N120H2ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: IGB01N120H2ATMA1
描述: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Tape & Reel (TR)
输入类型 Standard
门负责 8.6nC
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 28W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 800V, 1A, 241Ohm, 15V
交换能量 140µJ
Td(开/关)@ 25°C 13ns/370ns
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
电流-集电极(Ic) (Max) 3.2A
集电极脉冲电流(Icm) 3.5A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 53 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.79 $0.77 $0.76
最低数量: 1

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