IGB01N120H2ATMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | IGB01N120H2ATMA1 |
描述: | IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
输入类型 | Standard |
门负责 | 8.6nC |
部分状态 | Not For New Designs |
权力——马克思 | 28W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
测试条件 | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
交换能量 | 140µJ |
Td(开/关)@ 25°C | 13ns/370ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | PG-TO263-3-2 |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 3.2A |
集电极脉冲电流(Icm) | 3.5A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 53 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.79 | $0.77 | $0.76 |
最低数量: 1