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IGOT60R070D1AUMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IGOT60R070D1AUMA1
描述: IC GAN FET 600V 60A 20DSO
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolGaN™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) -10V
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs -
功耗(Max) 125W (Tc)
供应商设备包 PG-DSO-20-87
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 31A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) -

现货库存 593 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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