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IKD10N60RAATMA2

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: IKD10N60RAATMA2
描述: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 TrenchStop®
IGBT类型 Trench
包装 Tape & Reel (TR)
输入类型 Standard
门负责 64nC
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 150W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 400V, 10A, 23Ohm, 15V
基础零件号 *KD10N60
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C 14ns/192ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 PG-TO252-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
反向恢复时间(trr) 62ns
电流-集电极(Ic) (Max) 20A
集电极脉冲电流(Icm) 30A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 65 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.94 $0.92 $0.90
最低数量: 1

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