IPG20N10S4L35ATMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
描述: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Digi-Reel® |
场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 43W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
供应商设备包 | PG-TDSON-8-4 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 17.4nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 20A |
现货库存 14887 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1