图片仅供参考,请参阅产品说明书

PHB101NQ04T,118

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: PHB101NQ04T,118
描述: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V
功耗(Max) 157W (Tc)
供应商设备包 D2PAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 36.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 75A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 80 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
$0
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
$0
BUK7506-75B,127
NXP USA Inc.
$0
PHB222NQ04LT,118
NXP USA Inc.
$0
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
$0