NGTB03N60R2DT4G
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | NGTB03N60R2DT4G |
描述: | IGBT 9A 600V DPAK |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
输入类型 | Standard |
门负责 | 17nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 49W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
测试条件 | 300V, 3A, 30Ohm, 15V |
交换能量 | 50µJ (on), 27µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 27ns/59ns |
工作温度 | 175°C (TJ) |
供应商设备包 | DPAK |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3A |
反向恢复时间(trr) | 65ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 9A |
集电极脉冲电流(Icm) | 12A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 59 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1