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NSVMUN5212DW1T1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书:	NSVMUN5212DW1T1G
描述:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	250mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管类型	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
基础零件号	MUN52**DW1T
电阻-基极(R1)	22kOhms
频率-过渡	-
供应商设备包	SC-88/SC70-6/SOT-363
电阻-发射极基(R2)	22kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 5mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V