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BSM080D12P2C008

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	BSM080D12P2C008
描述:	SIC POWER MODULE-1200V-80A
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	-
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Tray
场效应晶体管的特性	Silicon Carbide (SiC)
部分状态	Active
权力——马克思	600W
安装方式	Chassis Mount
包/箱	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 13.2mA
工作温度	175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	-
供应商设备包	Module
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	-
漏源极电压(Vdss)	1200V (1.2kV)
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	80A (Tc)