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ES6U1T2R

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	ES6U1T2R
描述:	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±10V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	Schottky Diode (Isolated)
部分状态	Not For New Designs
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
功耗(Max)	700mW (Ta)
供应商设备包	6-WEMT
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	2.4nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	1.3A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.5V, 4.5V