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RDN100N20FU6

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: RDN100N20FU6
描述: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Bulk
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
功耗(Max) 35W (Tc)
供应商设备包 TO-220FN
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 30nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 10A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 84 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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