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RJM0603JSC-00#12

制造商:	Renesas Electronics America
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	RJM0603JSC-00#12
描述:	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Renesas Electronics America
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
包装	Tray
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate, 4.5V Drive
部分状态	Active
权力——马克思	54W
安装方式	Surface Mount
包/箱	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
工作温度	175°C
Rds(最大)@ Id, Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
供应商设备包	20-HSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	43nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	20A