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RJP60F4DPM-00#T1

制造商: Renesas Electronics America
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: RJP60F4DPM-00#T1
描述: IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Renesas Electronics America
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench
包装 Tube
输入类型 Standard
部分状态 Active
权力——马克思 41.2W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3PFM, SC-93-3
测试条件 400V, 30A, 5Ohm, 15V
基础零件号 RJP60F
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C 45ns/70ns
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 30A
电流-集电极(Ic) (Max) 60A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 88 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.06 $5.94 $5.82
最低数量: 1

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