图片仅供参考,请参阅产品说明书

RMLV0808BGSB-4S2#HA0

制造商: Renesas Electronics America
产品类别: Memory
说明书: RMLV0808BGSB-4S2#HA0
描述: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Renesas Electronics America
产品类别 Memory
系列 -
包装 Digi-Reel®
技术 SRAM
访问时间 45ns
内存大小 8Mb (1M x 8)
内存类型 Volatile
部分状态 Active
内存格式 SRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
内存接口 Parallel
电压-供应 2.4V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 44-TSOP II
写周期时间-字,页 45ns

现货库存 1018 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
$0
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
$0
AS4C64M16MD1A-5BIN
Alliance Memory, Inc.
$6.67
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
$6.5
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
$6.5