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STD80N6F6

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: STD80N6F6
描述: MOSFET N-CH 60V DPAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 DeepGATE™, STripFET™ VI
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
基础零件号 STD80
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V
功耗(Max) 120W (Tc)
供应商设备包 DPAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 122nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 7480pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 80A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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