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GT8G133(TE12L,Q)

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: GT8G133(TE12L,Q)
描述: IGBT 400V 600MW 8TSSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Tape & Reel (TR)
输入类型 Standard
部分状态 Obsolete
权力——马克思 600mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
测试条件 -
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C 1.7µs/2µs
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 8-TSSOP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
集电极脉冲电流(Icm) 150A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 400V

现货库存 91 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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