图片仅供参考，请参阅产品说明书
VS-GT400TH60N
| 制造商: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 说明书: | VS-GT400TH60N |
| 描述: | IGBT 600V 530A 1600W DIAP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1600W |
| 配置 | Half Bridge |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | Double INT-A-PAK (3 + 8) |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | Double INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 400A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 530A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 30.8nF @ 30V |
| 电流-集电极截止(最大) | 5mA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 78 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $448.52 | $439.55 | $430.76 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要