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SI3900DV-T1-GE3
| 制造商: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | SI3900DV-T1-GE3 |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | TrenchFET® |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 830mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 基础零件号 | SI3900 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| 供应商设备包 | 6-TSOP |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | - |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 2A |
现货库存 5957 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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