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SIZF920DT-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SIZF920DT-T1-GE3
描述:	MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET® Gen IV
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual), Schottky
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Active
权力——马克思	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
供应商设备包	8-PowerPair® (6x5)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)