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GT50J121(Q)

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: GT50J121(Q)
描述: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Tube
输入类型 Standard
部分状态 Obsolete
权力——马克思 240W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3PL
测试条件 300V, 50A, 13Ohm, 15V
交换能量 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 90ns/300ns
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-3P(LH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
电流-集电极(Ic) (Max) 50A
集电极脉冲电流(Icm) 100A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 91 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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