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TPC8035-H(TE12L,QM

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TPC8035-H(TE12L,QM
描述:	MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSVI-H
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.2mOhm @ 9A, 10V
功耗(Max)	1W (Ta)
供应商设备包	8-SOP (5.5x6.0)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	82nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	18A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V